Рассмотрен оптический метод измерения параметров магнитного поля (напряженность, частота, направление), основанный на взаимодействии электронно-дырочной плазмы полупроводника с лазерным излучением в условиях магнитоконцентрационного эффекта. Метод характеризуется высокими метрологическими параметрами, что во многом определяется низкой его чувствительностью к электрическим и оптическим помехам. Показано, что он может использоваться для измерений в зонах экстремальных воздействий (радиация, агрессивные среды), когда магниточувствительный элемент должен находиться на значительном удалении от оператора. Приведены данные экспериментальных исследований магниточувствительных устройств, реализующих метод.

Індекс рубрикатора НБУВ: З322-54

Рубрики:

Вимірювання температури (термометрія)

Шифр НБУВ: Ж14162 Пошук видання у каталогах НБУВ